
Все изделия на 100% протестированы UIS и соответствуют требованиям RoHS.
Изготовлено с использованием технологии силовых транзисторов с траншейной структурой.
SivF160N120T — это N-канальный силовой MOSFET с режимом обогащения.
- Номинальное напряжение: 100 В
- Номинальный ток: 160 А
- Максимальное сопротивление в открытом состоянии RDS(on): 3,8 мОм
- Ток стока: до 30 А при VGS=10 В
- Чрезвычайно низкое сопротивление в открытом состоянии и заряд затвора (тип. Qg=93 нКл)
- Все изделия на 100% протестированы UIS и соответствуют требованиям RoHS
- Изготовлено с использованием технологии силовых транзисторов с траншейной структурой.
Переключение нагрузки
ШИМ-модуляция (PWM)
Управление питанием