
Память программ, память данных, регистры и порты ввода-вывода имеют единое адресное пространство, линейный диапазон адресов которого достигает 4 Гбайт. Микроконтроллеры HK32F0301MxxxxC поддерживают хранение данных в порядке байтов от младшего к старшему, при котором младший байт данных хранится по младшему адресу, а старший байт данных — по старшему адресу.
Серия микросхем HK32F0301MxxxxC представляет собой бюджетные микроконтроллеры, разработанные ООО «Шэньчжэнь Ханшунь Исследования и разработки микросхем». Включает следующие модели:
1. HK32F0301MF4x7C
HK32F0301MF4U7C (корпус QFN20)
HK32F0301MF4N7C (корпус QFN20)
2. HK32F0301MF4P7C (корпус TSSOP20)
3. HK32F0301MD4P7C (корпус TSSOP16)
4. HK32F0301MJ4M7C (корпус SOP8)
Микроконтроллеры серии HK32F0301MxxxxC включают в себя следующие основные модули:
1. Ведущий модуль:
Ядро Cortex®-M0 и шина AHB-Lite.
2. Ведомый модуль:
Внутренняя SRAM.
Внутренняя флэш-память.
Мост AHB-Lite — APB; все периферийные устройства подключены к шине APB.
Порты GPIO, подключённые к шине AHB-Lite.
Память программ, память данных, регистры и порты ввода-вывода имеют единое адресное пространство, линейный диапазон адресов которого достигает 4 Гбайт. Микроконтроллеры HK32F0301MxxxxC поддерживают хранение данных в порядке байтов от младшего к старшему, при котором младший байт данных хранится по младшему адресу, а старший байт данных — по старшему адресу. Адресное пространство памяти разделено на 8 блоков по 512 Мбайт каждый. Зарезервированные области памяти представляют собой адресное пространство, которое временно не выделено для встроенной памяти и периферийных устройств. Рабочее напряжение питания (VDD) микросхемы составляет от 2,4 до 5,5 В. Необходимое напряжение 1,5 В для цифровой логики микросхемы обеспечивается встроенным регулятором напряжения. Питание для внутренней цифровой логики микросхемы обеспечивается встроенным линейным стабилизатором с низким падением напряжения (LDO). Выходное напряжение встроенного LDO может быть настроено через регистры, что позволяет программному обеспечению максимально оптимизировать ток потребления микросхемы в зависимости от сценария применения. Выходное напряжение LDO может быть независимо установлено для режима работы (Run) и режима останова (Stop).