Встраиваемая память UMS
BIWIN UFS — микросхемы флэш-памяти следующего поколения для встраиваемых систем. По сравнению с новейшим стандартом eMMC 5.1 скорость UFS выше в три раза. Кроме того, дополнительные каналы управления UFS 2.1 эффективно обеспечивают безопасную передачу данных и избавляют от необходимости непроизводительного ожидания при операциях чтения и записи, что является ключевым фактором достижения более высокой скорости UFS 2.1.
Встраиваемая память uMCP
BIWIN представляет интегрированную микросхему памяти uMCP5, объединяющую UFS 3.1 и LPDDR5X, для смартфонов и других интеллектуальных терминалов. Скорость последовательного чтения UFS 3.1 достигает 2100 Мбайт/с, последовательной записи — 1800 Мбайт/с; частота LPDDR5X достигает 6400 Мбит/с; объём памяти — до 256 Гбайт + 8 Гбайт; размер микросхемы составляет всего 11,5 × 13,0 × 1,0 мм.
Встраиваемая память ePOP
BIWIN ePOP объединяет в одном корпусе MMC и мобильную память LPDDR с различными вариантами объёма. Эти изделия широко применяются в мобильных устройствах.
Встраиваемая память eMMC
BIWIN eMMC благодаря лаконичной и передовой конструкции в короткие сроки вышел на рынок. В нём используются высокопроизводительный контроллер и надёжная NAND флэш, что позволяет не только повысить эффективность передачи данных, но и более стабильно выполнять большее количество многозадачных операций с высокой скоростью, обеспечивая плавность при просмотре веб-страниц, загрузке приложений, воспроизведении видео высокой чёткости и запуске требовательных игр.
Встраиваемая память eMCP
По мере увеличения объёма кода операционных систем, используемых в смартфонах, и особенно в связи с широким распространением операционной системы Android, смартфоны предъявляют всё более высокие требования к объёму памяти.
Память LPDDR5
LPDDR5 поддерживает режим с множеством банковских групп, скорость передачи данных увеличена с 4266 Мбит/с до 6400 Мбит/с. Динамическая регулировка нескольких групп напряжений позволяет снизить энергопотребление на 30 %.
Память LPDDR4
LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM) — это тип памяти DDR, отличающийся низким энергопотреблением. Решения BIWIN Low Power DDR охватывают широкий спектр оперативной памяти: от высокопроизводительных до моделей с оптимальным соотношением цены и производительности.
BIWIN
BIWIN Storage Technology Co., Ltd. (далее — BIWIN) основана в 2010 году. Компания специализируется на исследованиях и разработке, корпусировании и тестировании, производстве и продаже полупроводниковых запоминающих устройств. Основной продукцией являются полупроводниковые запоминающие устройства, основными услугами — передовые услуги по корпусированию и тестированию. Полупроводниковые запоминающие устройства по областям применения подразделяются на встраиваемую память, память для ПК, память промышленного и автомобильного класса, память корпоративного уровня и мобильную память. Следуя миссии «Память наделяет интеллектом всё», компания стремится стать ведущим мировым поставщиком решений в области памяти и хранения данных, а также передовых услуг по корпусированию и тестированию. BIWIN является листинговой компанией на рынке STAR, входит в индекс STAR 50 и получила стратегические инвестиции от второго этапа Государственного фонда развития интегральных схем КНР, Китайского интернет-инвестиционного фонда, венчурного фонда Китайской академии наук и др. Тесно сосредоточившись на всей производственной цепочке полупроводниковых запоминающих устройств, компания создала бизнес-модель интегрированных решений и производства и расширила своё присутствие в таких ключевых звеньях цепочки, как разработка решений для хранения данных, проектирование контроллеров памяти, корпусирование и тестирование памяти, передовое корпусирование и тестирование на уровне пластины, а также производство тестового оборудования для памяти. Продукция компании в виде микросхем памяти широко применяется в мобильных интеллектуальных терминалах, ПК, отраслевых терминалах, центрах обработки данных, интеллектуальных автомобилях, мобильных накопителях данных и других сферах информационных технологий.
