Серия SoC Loongson 2- LS2K0300
Микросхема Loongson 2K0300 — это многофункциональный SoC-чип на базе процессорного ядра LA264, широко применяемый в промышленном управлении, коммуникационном оборудовании, информационных устройствах и Интернете вещей (IoT).
Описание
маркер
Описание продукта
Микросхема Loongson 2K0300 — это многофункциональный SoC-чип на базе процессорного ядра LA264, широко применяемый в промышленном управлении, коммуникационном оборудовании, информационных устройствах и Интернете вещей (IoT). Эта микросхема отличается высокой степенью интеграции, предоставляя богатый набор функциональных интерфейсов для удовлетворения потребностей различных сценариев применения, а также поддерживает технологию низкого энергопотребления для эффективной обработки данных в условиях низкого энергопотребления. Микросхема имеет тактовую частоту 1 ГГц и интегрирует 16-битный контроллер памяти DDR4, а также богатый набор периферийных интерфейсов: USB 2.0, GMAC, ЖК-дисплей, аудио I2S, высокоскоростные SPI/QSPI, АЦП, eMMC, SDIO и другие широко используемые интерфейсы в промышленном управлении. LS2K0300 использует многоуровневую шинную структуру. Переключатель кроссбар соединяет процессорное ядро, вторичный кэш и подсеть ввода-вывода (путь доступа к кэшу). Вторичный кэш, IODMA, контроллер памяти, GMAC, USB, DC и другие устройства ввода-вывода используют высокоскоростную сеть межсоединений системы. Низкоскоростные периферийные устройства (CAN/I2C/UART и т. д.) объединены на шине южного моста.
связаться с нами
Сопутствующие популярные продукты
LMX4643
Максимальный выходной ток: 3 А на канал, с возможностью параллельного соединения до 12 А. Размер корпуса: 9 × 15 × 2,42 мм, BGA.
Серия HK32F072
Память программ, память данных, регистры и порты ввода-вывода имеют единое адресное пространство, линейный диапазон адресов которого достигает 4 Гбайт. Микроконтроллеры HK32F072x8xB поддерживают хранение данных в порядке байтов от младшего к старшему, при котором младший байт данных хранится по младшему адресу, а старший байт данных — по старшему адресу.
Серия RV- FDM320RV335
Процессор RV335 — это 32-разрядный процессор обработки данных с плавающей запятой на базе RISC-V, работающий на частоте 150 МГц. Он включает в себя шесть каналов DMA, поддерживает АЦП, McBSP и EMIF, а также имеет до 18 ШИМ-выходов.
Серия CPU Loongson 3- LS3C6000
Процессоры серии Loongson 3C6000 используют архитектуру микропроцессоров четвертого поколения Loongson, объединяя 16 процессорных ядер LA664 на одном кремниевом чипе и поддерживая 32 логических ядра благодаря технологии одновременной многопоточности.
Семейство LittleBee
Серия ПЛИС GW1NR от Gowin Semiconductor — это первое поколение продуктов семейства LittleBee® компании Gowin Semiconductor. Микросхема выполнена в системно-упакованном корпусе и на базе GW1N дополнена встроенной памятью увеличенного объёма.
Серия HK32F103A
Память программ, память данных, регистры и порты ввода-вывода организованы в едином линейном адресном пространстве объёмом 4 Гбайт. Данные хранятся в памяти в порядке байтов от младшего к старшему. Младший адресуемый байт слова считается младшим значащим байтом, а старший адресуемый байт — старшим значащим байтом. Устройство содержит встроенную статическую SRAM объёмом 64 Кбайт.
Серия CPU Loongson 3- LS3D5000
Loongson 3D5000 — это 32-ядерный процессор, предназначенный для серверного рынка, состоящий из двух кремниевых чипов 3C5000, объединенных в один корпус. Loongson 3D5000 включает 32 процессорных ядра LA464 и 64 МБ кэш-памяти, поддерживаемой восемью каналами доступа к памяти, соответствующими спецификациям DDR4-3200.
Серия MCU Loongson1- LS1C203
Микроконтроллер Loongson 1C203 предназначен для управления двигателями. Основанный на процессорном ядре Loongson LA132, он отличается высокой степенью интеграции, предоставляя богатый набор функциональных интерфейсов для удовлетворения потребностей различных сценариев применения.
Встраиваемая память uMCP
BIWIN представляет интегрированную микросхему памяти uMCP5, объединяющую UFS 3.1 и LPDDR5X, для смартфонов и других интеллектуальных терминалов. Скорость последовательного чтения UFS 3.1 достигает 2100 Мбайт/с, последовательной записи — 1800 Мбайт/с; частота LPDDR5X достигает 6400 Мбит/с; объём памяти — до 256 Гбайт + 8 Гбайт; размер микросхемы составляет всего 11,5 × 13,0 × 1,0 мм.
ОУ-SC7601
SC760x — это одноканальный/двухканальный малошумящий высокоточный полностью дифференциальный усилитель с частотой 150 МГц, предназначенный для высокоточных систем сбора данных. Он отличается выходом rail-to-rail и широким диапазоном управления выходным синфазным напряжением.
Память LPDDR4
LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM) — это тип памяти DDR, отличающийся низким энергопотреблением. Решения BIWIN Low Power DDR охватывают широкий спектр оперативной памяти: от высокопроизводительных до моделей с оптимальным соотношением цены и производительности.
LS76928
Области применения: компактные накопители энергии (базовые станции, домашние фотоэлектрические накопители, ИБП для центров обработки данных и т. д.), портативные накопители энергии, беспроводные электроинструменты, электрические двухколёсные транспортные средства и самокаты.
IGBT-транзисторы -Siv006E065F52
Siv006E065F52 — это IGBT-транзистор с траншейным затвором и быстродействующим диодом, обеспечивающий сверхнизкие потери при переключении и высокую энергоэффективность, подходящий для коммутационных приложений, таких как приводы двигателей и бытовая техника.
IGBT-модули – SivF3L150A65E2H1D
В модуле Easy2B используется высокоскоростной IGBT-транзистор с траншейным затвором и полевым выводом, а также сверхбыстровосстанавливающийся диод.
Встраиваемая память eMCP
По мере увеличения объёма кода операционных систем, используемых в смартфонах, и особенно в связи с широким распространением операционной системы Android, смартфоны предъявляют всё более высокие требования к объёму памяти.
LY1211A
LY1211A — это однопортовый гигабитный Ethernet PHY. Для его работы требуется всего один внешний источник питания 3,3 В, генерирующий 1,1 В через внутренний DC-DC преобразователь для питания внутреннего основного модуля (он также поддерживает внешний источник питания 1,1 В).
