
Память программ, память данных, регистры и порты ввода-вывода организованы в едином линейном адресном пространстве объёмом 4 Гбайт. Данные хранятся в памяти в порядке байтов от младшего к старшему. Младший адресуемый байт слова считается младшим значащим байтом, а старший адресуемый байт — старшим значащим байтом. Устройство содержит встроенную статическую SRAM объёмом 64 Кбайт.
Серия микросхем HK32F103xCxDxE представляет собой высокопроизводительные микроконтроллеры, разработанные ООО «Шэньчжэнь Ханшунь Исследования и разработки микросхем». Включает следующие модели:
1. HK32F103xC
HK32F103RCT6
HK32F103VCT6
2. HK32F103xD
HK32F103RDT6
HK32F103VDT6
3.HK32F103xE
HK32F103RET6
HK32F103VET6
Основная система состоит из следующих частей:
1. Ведущие модули:
Ядро Cortex®-M3 с шиной кода (D-bus) и системной шиной (S-bus).
Универсальные контроллеры DMA1 и DMA2.
2. Ведомые модули:
Внутренняя флэш-память.
Внутренняя SRAM.
Периферийные устройства AHB Lite.
Мосты AHB-APB (APB1 и APB2) для подключения всех периферийных устройств APB.
FSMC.
Все эти модули соединены между собой посредством многоуровневой шинной архитектуры AHB.
Память программ, память данных, регистры и порты ввода-вывода организованы в едином линейном адресном пространстве объёмом 4 Гбайт. Данные хранятся в памяти в порядке байтов от младшего к старшему. Младший адресуемый байт слова считается младшим значащим байтом, а старший адресуемый байт — старшим значащим байтом. Устройство содержит встроенную статическую SRAM объёмом 64 Кбайт. Доступ к ней может осуществляться побайтно, полусловами (16 бит) или полными словами (32 бит). Рабочее напряжение питания устройства (VDD) составляет от 2,0 до 3,6 В. Необходимое внутреннее напряжение 1,2 В для цифрового питания обеспечивается встроенным регулятором напряжения. При пропадании основного питания VDD питание часов реального времени (RTC) и резервных регистров осуществляется от резервного источника VBAT. Питание внутренней цифровой логики устройства обеспечивается встроенным LDO.
Выходное напряжение встроенного LDO может быть настроено через регистры, что позволяет программному обеспечению максимально оптимизировать ток потребления микросхемы в зависимости от сценария применения. Выходное напряжение LDO может быть независимо установлено для режима работы (Run) и режима останова (Stop).