LMX4644 представляет собой модуль в 77-выводном корпусе BGA, изготовленный с использованием печатной платы в качестве основания и эпоксидного формовочного компаунда. На нижней стороне изделия сформированы шариковые выводы BGA из сплава SnPb.

Максимальный выходной ток: 3 А на канал, с возможностью параллельного соединения до 12 А. Размер корпуса: 9 × 15 × 2,42 мм, BGA.

Максимальный выходной ток: 2,5 А на канал, с возможностью параллельного соединения до 5 А. Размер корпуса: 6,25 × 6,25 × 2,42 мм, BGA.

BY25Q40BU — это 4-мегабитная флэш-память с последовательным периферийным интерфейсом (SPI). Она поддерживает двухканальный/четырехканальный интерфейс SPI, а также четырехканальный периферийный интерфейс (QPI) с двумя тактовыми циклами.

BY25D05AS — это 512-килобитная флэш-память с последовательным периферийным интерфейсом. Она поддерживает два режима SPI: последовательный тактовый сигнал, функцию стробирования микросхемы и последовательные порты ввода/вывода данных I/O0 и I/O1.

BIWIN UFS — микросхемы флэш-памяти следующего поколения для встраиваемых систем. По сравнению с новейшим стандартом eMMC 5.1 скорость UFS выше в три раза. Кроме того, дополнительные каналы управления UFS 2.1 эффективно обеспечивают безопасную передачу данных и избавляют от необходимости непроизводительного ожидания при операциях чтения и записи, что является ключевым фактором достижения более высокой скорости UFS 2.1.

BIWIN представляет интегрированную микросхему памяти uMCP5, объединяющую UFS 3.1 и LPDDR5X, для смартфонов и других интеллектуальных терминалов. Скорость последовательного чтения UFS 3.1 достигает 2100 Мбайт/с, последовательной записи — 1800 Мбайт/с; частота LPDDR5X достигает 6400 Мбит/с; объём памяти — до 256 Гбайт + 8 Гбайт; размер микросхемы составляет всего 11,5 × 13,0 × 1,0 мм.

BIWIN ePOP объединяет в одном корпусе MMC и мобильную память LPDDR с различными вариантами объёма. Эти изделия широко применяются в мобильных устройствах.

BIWIN eMMC благодаря лаконичной и передовой конструкции в короткие сроки вышел на рынок. В нём используются высокопроизводительный контроллер и надёжная NAND флэш, что позволяет не только повысить эффективность передачи данных, но и более стабильно выполнять большее количество многозадачных операций с высокой скоростью, обеспечивая плавность при просмотре веб-страниц, загрузке приложений, воспроизведении видео высокой чёткости и запуске требовательных игр.

По мере увеличения объёма кода операционных систем, используемых в смартфонах, и особенно в связи с широким распространением операционной системы Android, смартфоны предъявляют всё более высокие требования к объёму памяти.

LPDDR5 поддерживает режим с множеством банковских групп, скорость передачи данных увеличена с 4266 Мбит/с до 6400 Мбит/с. Динамическая регулировка нескольких групп напряжений позволяет снизить энергопотребление на 30 %.

LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM) — это тип памяти DDR, отличающийся низким энергопотреблением. Решения BIWIN Low Power DDR охватывают широкий спектр оперативной памяти: от высокопроизводительных до моделей с оптимальным соотношением цены и производительности.